--- tags: [source-summary] type: source source: "PCB立创EDA开源教程（Expert电子实验室）— 第4课电路分析基础（中）" author: "Expert电子实验室（国一学长）" date: 2026-08-14 created: 2026-08-14 --- # 电路基础：二极管、三极管、场效应管 > [!note] 对象层 > 学完这篇，你能**判断**： > > 1. 二极管两端电压是正偏还是反偏 → 通还是断； > 2. 认出普通/稳压/发光/光电/变容/肖特基等**常见二极管**（看符号/实物特征），并说出各自用途； > 3. 一个三极管工作在截止/放大/饱和哪个区（看发射结、集电结的偏置）； > 4. 看到一个 FET 是 NMOS 还是 PMOS、增强型还是耗尽型；BJT 和 FET 谁被"电流"控制、谁被"电压"控制。 > **用生活理解**：二极管是**单行道**（只许一个方向走）；三极管是**水龙头**（小水流控制大水流，拧小=放大区、拧死=截止、拧到最大=饱和）；场效应管是**电压操控的闸门**（手指用力=电压，控制闸门开多大决定流多少水）。 --- ## 一、抽象描述（一句话本质） **二极管：单向导电的"开关"；三极管（BJT）：小电流控制大电流的"放大器兼开关"；场效应管（FET）：电压控制电流的"开关兼放大器"，靠电场而非电流驱动。** --- ## 二、核心知识 ### 2.1 二极管（Diode，D） **结构**：半导体材料（硅、硒、锗）制成，两个电极——正极（**阳极**）、负极（**阴极**）。`[用户]` **核心特性：单向导电性** - 加**正向电压**（阳极→阴极）→ **导通** - 加**反向电压** → **截止** - 导通/截止 ≈ 开关的接通/断开；导通时电流方向：阳极 → 管子 → 阴极 `[用户]` **应用**：整流、检波、限幅、钳位、稳压等 `[用户]` > [!tip] 类比 > 二极管=单行道。电流只能从阳极进、阴极出。**看箭头**：原理图符号中箭头指向阴极，电流顺着箭头走。 #### 常见二极管类型（会认符号、会用） ![常见二极管符号对比（普通/稳压/发光/光电/变容等）](assets/diode_types_symbols.jpg) | 类型 | 符号/实物特征 | 核心特性 | 典型用途 | | -------------------------- | ---------------------------------------------------------- | ---------------------------------------- | ----------------------------- | | **普通/整流二极管** | 三角+竖线；SMD 实物上有**白色三角形/线条 = 负极** | 单向导电、反向截止 | 整流、检波 [视觉] | | **稳压二极管（齐纳）** | 符号阴极处带**折线（击穿标记）** | 工作在**反向击穿区**，两端电压基本恒定 | 稳压基准 [视觉] | | **发光二极管 LED** | 符号带**向外箭头**；实物**引脚长=正极（+）、短=负极（−）** | 正向导通发光（电→光） | 指示灯、照明 [视觉] | | **光电二极管** | 符号带**向内箭头** | 光照产生电流（光→电），常反向偏置 | 光检测、光耦 [视觉] | | **变容二极管** | 符号带电容标记（Varactor） | **结电容随反偏电压变化** | 调谐、压控振荡器 [视觉] | | **肖特基二极管** | 金属-半导体结，符号 S 形；如 **SS34** | **正向压降低、开关速度快**、反向漏电流大 | 开关电源整流（如 SS34）[视觉] | | **双向触发二极管（DIAC）** | 双向对称符号 | 双向导通、靠电压触发 | 触发可控硅/双向可控硅 [视觉] | > [!tip] 判别 > 记三句话：**要恒压→稳压管（反向击穿）；要发光→LED（正向）；要快/低压降→肖特基**。符号上都"长"在二极管骨架上，认多出来的特征即可。 **伏安特性曲线**（理解所有二极管的钥匙）：`[视觉]` ![二极管伏安特性曲线](assets/diode_vi_curve.jpg) - **正向区（U>0）**：电压超过导通阈值（硅≈0.7V）后电流陡增 → 导通； - **反向区（U<0）**：电流近似 0 → 截止； - **反向击穿区**：反向电压超过击穿电压后电流陡增 → 普通二极管损坏，**稳压二极管专门工作在这个区**。 > [!tip] 极性识别（焊接/摆放必用） > 直插：负极端有**色环/白条**，LED **长脚=正极**；贴片：端部有**白色三角形/线条**为负极（课程图"上面负极"提示）`[视觉]` ### 2.2 三极管（BJT，双极型晶体管） **结构**：一块半导体基片上做两个相距很近的 PN 结，把半导体分成**基区、发射区、集电区**；分 **NPN / PNP** 两种。`[用户]` **作用**：把微弱信号放大成较大电信号；也可作**无触点开关**。核心能力：**电流放大**（小基极电流控制大集电极电流）。`[用户]` **三个工作状态**（最常考的判别）：`[用户]` | 状态 | 发射结 | 集电结 | 特点 | 水龙头类比 | | -------- | ------ | ------ | ---------------------------------------- | -------------------------- | | **截止** | 反偏 | 反偏 | 基极电流=0，集电极≈开路（开关断开） | 水龙头关死 | | **放大** | 正偏 | 反偏 | 基极电流增大→集电极电流随之成比例增大 | 水龙头逐渐拧开 | | **饱和** | 正偏 | 正偏 | 基极电流再大，集电极电流也不增加（到顶） | 水龙头拧到最大，水流不再变 | > [!tip] 判别口诀（规则级） > **"发射结正偏 + 集电结反偏 = 放大"**，其余两种是：两结都反偏=截止，两结都正偏=饱和。判断任何一个三极管工作状态，就套这三条。 **输出特性曲线**：放大区的曲线族（基极电流不同、集电极电流不同）。`[用户]` ### 2.3 场效应管（FET） **定义**：利用**输入回路的电场效应**控制输出回路电流的半导体器件。`[用户]` - 靠**多数载流子**导电 → **单极型**晶体管 - 属**电压控制型**器件 - 优点：输入电阻高、噪声小、功耗低、动态范围大、易集成、无二次击穿、安全工作区宽 `[用户]` **分类**：`[用户]` 1. 结型 **JFET**（junction FET） 2. 金属-氧化物半导体 **MOSFET**（又称 MOS 管） **MOS 管的 4 种组合**（关键判别）：`[用户]` | 沟道 | 耗尽型（Vgs=0 有电流） | 增强型（Vgs=0 无电流） | | ------ | ---------------------- | ---------------------- | | N 沟道 | 耗尽型 NMOS | 增强型 NMOS | | P 沟道 | 耗尽型 PMOS | 增强型 PMOS | > 判别依据：**Vgs = 0 时漏极电流是否为 0**。为 0 → 增强型；不为 0 → 耗尽型。 ![四种 MOS 管符号 + 转移/输出特性曲线对比](assets/mos_4types_curves.jpg) **BJT vs FET 横向对比**（课程对比表整理）：`[视觉]` | 维度 | BJT（三极管） | FET（场效应管） | | ------------- | -------------------------- | ---------------------------- | | 导电机构 | 空穴 + 电子（双极型） | 多数载流子（单极型） | | 控制方式 | **电流**控制（Ib 控制 Ic） | **电压**控制（Vgs 控制 Id） | | 输入电阻 | 较低 | **很高**（几乎不取输入电流） | | 放大参数 | β = ΔIc/ΔIb | gm = ΔId/ΔVgs（跨导） | | 噪声/热稳定性 | 较差 | 较好、功耗低 | | 抗辐射 | 较好 | 较差 | > [!tip] 判别 > 想"电流控电流"选 BJT；想"电压控电流、不取前级电流"选 FET。这也是为什么放大器的第一级常用 FET（输入阻抗高）。 ### 2.4 芯片 / IC 芯片是大量晶体管集成在一块半导体上的成品（如 CH343P 串口芯片）。数据手册是理解芯片的入口（见 [[05-读懂原理图与数据手册|05 读懂原理图与数据手册]]）。`[用户]` --- ## 三、判别规则 1. **二极管通断**：阳极电压 > 阴极电压（正向）→ 导通；反向 → 截止。 2. **二极管选型**：要恒压 → 稳压管（反向击穿区）；要发光 → LED（正向）；要低压降/快开关 → 肖特基；要调谐 → 变容管；要光检测 → 光电管。认符号的"附加特征"（折线=稳压、向外箭头=发光、向内箭头=光电、电容标记=变容、S形=肖特基）。 3. **三极管状态**：**发射结正偏 + 集电结反偏 = 放大**；两结反偏 = 截止；两结正偏 = 饱和。 4. **BJT vs FET**：看控制量——基极小电流控制（**电流控制**）→ BJT；栅源电压 Vgs 控制（**电压控制**）→ FET。 5. **增强 vs 耗尽**：Vgs=0 时无漏电流 = 增强型；有漏电流 = 耗尽型。 --- ## 四、易混对比 | 易混点 A | 易混点 B | 关键区别 | | -------------- | ------------ | --------------------------------------------------------------------------------- | | 稳压二极管 | 普通二极管 | 稳压管专用**反向击穿区**恒压；普通管反向击穿=损坏 | | 发光二极管 LED | 光电二极管 | LED 正向导通发光（电→光）；光电管光照生电（光→电），符号箭头方向相反 | | 肖特基二极管 | 普通整流管 | 肖特基低压降、快开关、漏电流大；普通整流管耐压高、反向漏电小 | | 变容二极管 | 普通二极管 | 变容管反偏下结电容随电压变化（调谐用） | | NPN | PNP | 符号箭头方向相反；NPN 电流从集电极流向发射极，PNP 相反 | | BJT 三极管 | FET 场效应管 | BJT 电流控制、双极型（空穴+电子）；FET 电压控制、单极型（多数载流子）、输入电阻高 | | 增强型 MOS | 耗尽型 MOS | Vgs=0 时漏极有无电流：无=增强，有=耗尽 | | NMOS | PMOS | 沟道类型（N 载流子电子 / P 载流子空穴）；导通所需栅压极性相反 | | 二极管导通 | 三极管饱和 | 二极管是两端器件单向导电；三极管是受控开关/放大器，饱和≈开关闭合、放大≈线性放大 | --- ## 五、变体验证（4 题，先想再翻答案） 1. **认类型**：电源板上一个元件符号是三角+竖线、阴极侧还多一段折线。这是什么？为什么用它？ > 答：稳压二极管。折线是反向击穿标记；它工作在反向击穿区保持两端电压恒定（规则 2）。 2. **认类型**：一块贴片二极管实物，一端有白色三角形标记，但旁边焊盘是正极。哪端是负极？ > 答：有**白色三角形标记的一端是负极**（课程图"上面负极"提示；SMD 二极管端部白条/三角=负极）。 3. **判断状态**：某 NPN 三极管，发射结正偏、集电结正偏。工作在什么状态？还能放大吗？ > 答：饱和状态。基极电流再增大集电极电流也不增——不能放大了（开关已"开满"）。 4. **陷阱题**：同事说"增强型 NMOS 在 Vgs=0 时就能导通，所以适合做常闭开关"。 > 答：错。增强型 NMOS 在 Vgs=0 时**漏极电流为 0（不导通）**；能"常闭"（Vgs=0 导通）的是**耗尽型**（规则 5）。 --- ## 六、关系网络 - **向上**：这些器件在原理图中的符号 → [[04-电路基础-电路定理|04 电路定理（结点/回路）]]、[[05-读懂原理图与数据手册|05 读懂原理图]] - **同级**：无源三件套 RCL → [[02-电路基础-电阻电容电感|02 RCL]]；二极管/三极管/FET 是"有源器件"（能放大/开关） - **实战**：51 核心板的电源稳压（AMS1117 内部就是三极管/FET 构成的线性稳压）、USB 接口的保护二极管 → [[09-项目实战-51单片机核心板|09 51 核心板]]、[[10-项目实战-USB拓展坞|10 USB 拓展坞]] - **方法**：有源器件的学习路径 = **结构 → 控制量（电流/电压）→ 状态/偏置条件 → 应用**。先把"偏置条件表"刻进脑子，任何题都套表。 > 来源：立创 EDA 教程 第4课（电路分析基础·中）；二极管类型/伏安特性/实物与曲线内容标注 [视觉]